مطالعه خواص ساختاری و الکتریکی لایه نازک منگنایتهای la0.85a0.15mno3 (a:ca, sr(
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک
- نویسنده مریم نهایت فخار
- استاد راهنما حسین احمدوند پرویز کاملی
- سال انتشار 1394
چکیده
در این پایان نامه ویژگی های ساختاری، الکتریکی و مغناطیسی نمونه های کپه ای و لایه نازک منگنایتهای la0.85sr0.15mno3 و la0.85ca0.15mno3مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی های مغناطیسی نمونه کپه ای lsmo توسط پذیرفتاری مغناطیسی متناوب مورد بررسی قرار گرفت.لایه نشانی منگنایتهای la0.85sr0.15mno3 و la0.85ca0.15mno3 بر روی زیرلایه (lao) laalo3 با استفاده از روش لیزر پالسی (pld) صورت گرفت. ویژگی های الکتریکی نمونه های کپه ای و لایه نازک منگنایتهای lsmo و lcmo، با اندازه گیری مقاومت الکتریکی نمونه ها در غیاب و حضور میدان مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفت. هدف اصلی این پایان نامه مطالعه پدیده مغناطومقاومت ناهمسانگرد (amr) (وابستگی مقاومت الکتریکی به زاویه بین راستای میدان مغناطیسی و جهت جریان الکتریکی) بوده است. نتایج حاصل از اندازه گیری مغناطومقاومت ناهمسانگرد نشان می دهند که در نمونه های کپه ای و لایه نازک، مقاومت حالت موازی (r_?) کمتر از مقاومت حالت عمود (r_?) است.
منابع مشابه
بررسی تأثیر تابش لیزر بر خواص الکتریکی و ساختاری لایه های نازک zno
در این مقاله لایه نازک zno به روش سل ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شده است. لایه های اولیه ابتدا در دمای 100 و ˚c 240 خشک و سپس در دماهای 300 ، 400 و ˚c 500 پخت شده اند. اندازه گیری مقاومت دو نقطه ای نشان می دهد که مقاومت الکتریکی لایه های آماده شده، بسیار زیاد است. تابش پرتو لیزر اگزایمر krf ( 248nm = λ ) با تعداد پالس 1000 ، فرکانس 1hz و انرژی 90mj/cm2 بر سطح لایه باعث کاهش مقاومت ...
متن کاملتأثیر دمای آنیل بر خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک نئودمیوم آهن بور
In the present research NdFeB thin films coupled with buffer and capping layer of W were formed on Si/SiO2 substrate by means of RF magnetron sputtering. The system was annealed at vaccum at different temperatures of 450, 500, 550,. 600 and 650 °C Phase analysis was carried out by XRD and it was found that NdFeB was formed without the formation of any kind of secondary phase. The cross...
متن کاملبررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامتهای اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...
متن کاملبررسی تأثیر تابش لیزر بر خواص الکتریکی و ساختاری لایههای نازک ZnO
In this paper, ZnO thin film was prepared by sol-gel process on glass substrates. The deposited films were dried at 100 and 240 ˚C and then annealed at 300, 400 and 500 ˚C. The two-probe measurement showed that resistance of as-prepared films is very high. The KrF excimer (λ=248 nm) laser irradiation with 1000 pulses, frequency of 1 Hz and 90 mJ/cm2 energy on surface of film resulted in the re...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023